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반도체 집적회로는 손톱만큼이나 작고 얇은 실리콘칩에 지나지 않지만 그 안에는 수만 개에서 천만개 이상의 전자부품들(트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터)이 가득 들어있다. 이러한 전자부품들이 서로 정확하게 연결도어 논리게이트와 기억소자 역할을 하게 되는 것이다.

칩 속의 작은 부품들은 하나하나 따로 만들어서 조립되는 것이 아니다. 그것은 불가능하다. 대신 부품과 그 접속부분들을 모두 미세하고 복잡한 패턴(문양)으로 만들어서 여러 층의 재료 속에 그려 넣는 방식을 사용한다. 그러기 위해서는 문양을 사진으로 찍어 축소한 마스크를 마치 사진인화할 때의 필름처럼 사용한다.
01. 단결정 성장
고순도로 정제된 실리콘용 융액 에 SPEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장 시킨다.
02. 규소봉 절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크기는 규소 봉 의 구경에 따라 3", 4", 6", 8"로 만들어지며 생산성 향상을 위해 점점 대구 경화 경향을 보이고 있다.
03. 웨이퍼 표면연마
웨이퍼의 한쪽면을 연마 하여 거울면처럼 만들어 주며, 이 연마된면에 회로 패턴을 그려넣게 된다.
04. 회로 설계
CAD(Com-puter Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로 패턴을 설계한다.
05. MASK(RETICLE)제작
설계된 회로패턴을 E-beam 서리로 유리판 위에 그려 MASK(RETICLE)를 만든다.
06. 산화(OXIDATION)공정
고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘 산화막 (SiO2)를 형성 시키는 공정이다.
07. 감광액(PR;PhotoResist)도포
빛에 민감한 물질인 PR을 웨이퍼 표면에 고르게 도포 시킨다.
08. 노광(EXPOSURE)
STE-PPER를 사용하여 MASK에 그려진 회로 패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼위에 회로패턴을 사진 찍는 공정이다.
09. 현상(DEVELOPMENT)
웨이퍼표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시키는 공정이다. (일반 사진현상과 동일)  
10. 식각(ETCHING)
회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 GAS를 사용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거 시키는 공정이며 이러한 패턴형성과정은 각 패턴층에 대해 계속적으로 반복된다.
11. 이온주입(ION IMPLAN-TATION)공정
회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 GAS입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자 소자의 특성을 만들어주며 이러한 불순물주입은 고온의 전기로속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 DIFFUSION(확산) 공정에 의해서도 이루어진다.
12. 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)공정
GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착(蒸着)하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 공정이다.
13. 금속배선(METALLIZATION)
웨이퍼표면에 형성된 각 회로를 알루미늄선을 연결시키는 공정이다.
14.웨이퍼 자동선별(EDS TEST)
웨이퍼에 형성된 IC칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여 불량품을 자동선별하는 공정이다.
15. 웨이퍼 절단(SAWING)
웨이퍼상의 수많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드 톱을 사용하여 웨이퍼를 절단하는 공정이다.
16. 웨이퍼 표면연마
웨이퍼의 한쪽면을 연마하여 거울면처럼 만들어 주며, 이 연마된 표면에 회로패턴을 그려넣게 된다.
17. 금속연결(WIRE BONDING)
칩 내부의 외부 연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하여 주는 공정이다.
18. 성형(MOLDING)
칩과 연결 금선부분을 보호 하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 공정이다.
19. 최종검사(FINAL TEST)
성형된 칩의 전기적 특성 및 기능을 컴퓨터로 최종 검사하는 공정으로 최종 합격된 제품들은 제품명과 회사명을 MARKING한 후 입고검사를 거쳐 최종 소비자에게 판매된다.
[자료발췌] 한국반도체산업협회 : KISA